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Etching #시작하며 지난 포스팅에서는 Etching의 기본적인 개념과 방법, 구성 등에 대해 공부하였다. 초창기 식각은 습식의 방식으로 Cleansing이나 Ashing 분야로 발전했고, 미세공정화에 따라 반도체 식각은 플라즈마(Plasma)를 이용한 건식으로 발전하였다. 건식식각은 플라즈마를 구성하는 이방성의 성질을 가진 양이온과 등방성의 라디칼을 이용한다. 등방성의 라디칼이 양이온보다 함량이 많아 건식식각은 등방성을 가질 것 같지만 이방성 식각으로 초미세회로를 구현할 수 있다(?). #Etching 종횡비(Aspect Ratio)는 종축 대비 횡축의 길이, 즉 높이/길이의 비율을 나타낸다. 해당 종횡비가 클수록 얇고 높은 식각공정이 이루어진다. 예를들어 2D에서 선폭 10nm 미만의 초미세회로를..

Etching #시작하며 지난 시간에는 반도체 8대 공정 중, Wafer 공정과 Mask, 산화막 형성, Photo 공정에 대해 공부하였다. 이번 포스팅에는, 8대 공정 중 패턴을 완성하는 식각(Etching) 공정에 대해 알아보고 공부할 것이다. #식각(Etching) 패턴을 만드는 공정으로는 앞서 공부했던 노광(Exposure), 현상(Develope)와 오늘 공부할 식각(Etching)이 있고 그 외에 이온 주입 등이 있다. 이중 식각 공정은, 포토(Photo) 공정 후 감광막(Photo Resist, PR)이 없는 하부 막을 제거해 필요한 패턴만 남기는 단계이다. 즉, MasK(Reticle) 패턴이 PR로 코팅된 웨이퍼에 내려온 후(노광 → 현상), PR 패턴이 다시 PR 하부 형성된 막으로 이..

반도체 공정 #시작하며 앞선 반도체 소자 공부를 하며 포스팅하기에 앞서, 20-2학기에 반도체 공정 수업을 우선으로 수강하였다. 공정을 먼저 듣고 소자 수업을 들었던 터라, 공정 수업을 들을 때에는, 그 속의 작용과 상태 등을 이해하지 못하고 무작정 외우기에 급급한 공부를 진행했다. 따라서, 현재 소자 수업을 들은 후 1학기가 지난 지금의 공정 지식은 거의 남아있지 않는 상태이다. 따라서 반도체 공정을 포스팅하며, 복습하는 과정을 통해 공정 기초 지식의 기반을 다지려 한다. #반도체 공정 반도체 제조공정은 설계와, 웨이퍼를 가공하는 전공정(FAB공정), 가공된 웨이퍼 내의 칩(Chip)들을 자르고 조립하는 후공정(Packaging)으로 구분할 수 있다. 전공정에는 웨이퍼 제조, 포토 식각, 박막 증착, ..