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박막 공정 #박막 공정 CVD(Chemical Vapor Deposition) CVD, 화학적기상증착법은, 가스의 화학반응으로 형성된 입자들을 외부 에너지가 부여된 수증기 형태로 증착하는 방법이다. 해당 방법은 도체, 부도체, 반도체의 박막에 모두 사용이 가능하고, 접합성과 박막의 품질이 좋다는 장점이 있다. 또한 박막의 두께 조절이 가능하며 Step Coverage가 좋고, PVD 대비 공정비용이 낮아 대량생산이 가능하다. * APCVD(Atmospheric Pressure CVD) APCVD는, 초기 CVD 공정방식으로, 대기압 상태에서 Deposition을 진행했다. Chamber를 가열하지 않고, 외부 RF 인덕션 코일을 가열하여 웨이퍼에 열을 전달하는 방식이다. CVD에서는 Pressure가 클..

Etching #시작하며 지난 포스팅에서는 Etching의 기본적인 개념과 방법, 구성 등에 대해 공부하였다. 초창기 식각은 습식의 방식으로 Cleansing이나 Ashing 분야로 발전했고, 미세공정화에 따라 반도체 식각은 플라즈마(Plasma)를 이용한 건식으로 발전하였다. 건식식각은 플라즈마를 구성하는 이방성의 성질을 가진 양이온과 등방성의 라디칼을 이용한다. 등방성의 라디칼이 양이온보다 함량이 많아 건식식각은 등방성을 가질 것 같지만 이방성 식각으로 초미세회로를 구현할 수 있다(?). #Etching 종횡비(Aspect Ratio)는 종축 대비 횡축의 길이, 즉 높이/길이의 비율을 나타낸다. 해당 종횡비가 클수록 얇고 높은 식각공정이 이루어진다. 예를들어 2D에서 선폭 10nm 미만의 초미세회로를..