전자 2

반도체소자 뿌시기_7

Excess Carriers in Semiconductors # 광학적 흡수 반도체의 대역 간극 에너지를 측정하는 중요한 기법은 그 물질의 입사 광자의 흡수이다. 해당 실험에서는, 선정된 파장의 광자를 시료에 쪼여주고, 여러 가지 광자의 상대적인 투과를 관찰한다. 대역 간극보다 큰 에너지의 광자는 흡수되지만 작은 에너지를 갖는 광자는 투과된다. 위 그림에서 볼 수 있듯이, 광학적 흡수에 의해 전도 대역으로 여기 된 전자는, 기존 전도 대역에 있는 전자들 보다 높은 에너지를 가질 것이다. 이후 해당 전자는, 속도가 기존의 전자들의 열적 평형 속도에 도달할 때까지 산란현상을 통해 격자에 에너지를 준다. 해당 흡수과정으로 생성된 전자와 정공은 과잉 캐리어(excess carrier)이다. 과잉 캐리어들은 각각..

반도체 소자 2021.07.07

반도체소자 뿌시기_4

Energy Bands and Charge Carriers in Semiconductors #고체에서의 결합력과 에너지 대역 이번 챕터에서는 우선 고체 내에서 어떻게 전류가 흐르는지 공부할 것이다. 전자들은 원자 내에서 일련의 불연속적인 에너지 준위를 가진다. 이 에너지 준위는 전자가 존재할 수 없는 에너지 간극(gap)이 존재하기 때문에, 전자가 취할 수 있는 에너지값의 영역(range), 즉 대역(band)이 존재한다. 고체에서의 결합력 고체에서 인접한 원자의 전자 상호 간의 작용은 결정체의 인력에 중요한 기능을 한다. NaCl과 같은 할로겐 화합물(alkali halide)은 이온 결합(ionic bonding)을 대표한다. 아래 그림 a에서 볼 수 있듯이, NaCl 격자에서 각 Na 원자는 인접한..

반도체 소자 2021.05.20
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